بررسی وابستگی دمایی قابلیت هدایت نوری حالت پایا در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف

پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد
نویسنده نجمه ترابی میرزایی
استاد راهنما محمدعلی صالحی حسین مختاری
تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
سال انتشار 1388

چکیده

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد مطالعه قرار گرفته و کاهش در قابلیت هدایت نوری با افزایش دما نیز بررسی شده است. رفتار دمایی قابلیت هدایت نوری با استفاده از تغییرات چگالی بارها در حالت های جایگزیده طی پنج مرحله به طور کیفی مورد تحلیل قرار گرفته است. تغییرات چگالی الکترون ها در نوار رسانش و حفره ها در نوار ظرفیت بر حسب عکس دما بررسی و نمودار آن ها رسم شده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

ثبت نام

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی وابستگی دمایی ابعاد زنجیر پلی(وینیلیدن فلوئورید) در حالت محلول و مذاب

به هنگام تشکیل فیلم پلیمری، شکل فضایی )صورت بندی( زنجیر پلی )وینیلیدن فلوئورید( در تعیین ساختار بلور اهمیت زیادی دارد. با تعیین گرانروی ذاتی محلول یا گرانروی در سرعت برش صفر، میتوان به معیاری از اندازه حجم هیدرودینامیکی زنجیر و در نهایت به احتمال دست یابی به شکل تمام ترانس صفح های در بلور )بلور نوع β ( دست یافت. در تعیین حجم هیدرودینامیکی زنجیر در حالت محلول، از گرانروی سنج آبلهود در محدوده دما...

متن کامل

بررسی وابستگی دمایی(گرانروی) ویسکوزیته و هدایت الکتریکی یک مینای ویژه مس

هدف از این پژوهش، بررسی تغییرات ویسکوزیته و هدایت الکتریکی یک مینای بروسیلیکات سرب‌دار ویژه مس نسبت به دما است. با استفاده از نمودار دیلاتومتری دماهای Tg و Ts این مینا به ترتیب 6/478 و 9/523 درجه سانتیگراد تعیین شدند. با استفاده از رویت انحنای مینا در میکروسکوپ حرارتی دمای T1/2 برای ویسکوزیته Pa.s 55/103 استخراج گردید. با استفاده از 3 دما و ویسکوزیته مربوط به آن ها و به کمک معادله VFT، منحنی وا...

متن کامل

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...

متن کامل

وابستگی دمایی ضریب هدایت حرارتی تخته‌خرده‌چوب دارای نانوکلوئیدهای نقره و مس

این پژوهش با هدف بررسی تأثیر نانوکلوئیدهای نقره و مس بر ضریب هدایت حرارتی تخته‌خرده‌‌‌چوب صورت گرفت. برای این منظور نانوکلوئیدها با غلظت 4000 (ppm) در چهار سطح 0، 5، 10 و 15 درصد به‌همراه چسب مصرفی در ساخت تخته‌خرده‌چوب مورد استفاده قرار گرفتند، سپس ضریب هدایت حرارتی تخته‌های ساخته شده در چهار سطح دما (45، 50، 55 و 60 درجه سانتی‌گراد) اندازه‌گیری شد. نتایج نشان داد که با افزایش سطوح استفاده از ...

متن کامل

بررسی وابستگی دمایی ابعاد زنجیر پلی(وینیلیدن فلوئورید) در حالت محلول و مذاب

متن کامل

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت است, در نظر گرفته می شود. ضرایب اپتیکی سیلیکان متخلخل در فرود عمود و در بازه طول موج 200um≤λ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}

نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد

کلمات کلیدی

گاف انرژی چگالی الکترونی حالت نوار رسانش رسانایی گرمایی سیلیسیم اریخت فوتورسانندگی مقیاس دما چگالی حفره رسانندگی تاریک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com